TPCF8104(TE85L,F,M
TPCF8104(TE85L,F,M
Modelo do Produto:
TPCF8104(TE85L,F,M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 6A VS-8
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
28940 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.TPCF8104(TE85L,F,M.pdf2.TPCF8104(TE85L,F,M.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VS-8 (2.9x1.5)
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:28 mOhm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):700mW (Ta)
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:TPCF8104FCT
TPCF8104FCT-ND
TPCF8104FMCT
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1760pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:34nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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