TPCC8093,L1Q
Modelo do Produto:
TPCC8093,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
59947 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TPCC8093,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:1.2V @ 500µA
Vgs (Max):±12V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSVII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1.9W (Ta), 30W (Tc)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPCC8093L1Q
Temperatura de operação:150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1860pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição detalhada:N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A (Ta)
Email:[email protected]

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