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TPAR3J S1G
- Modelo do Produto:
- TPAR3J S1G
- Fabricante:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- Descrição:
- DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 59565 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- TPAR3J S1G.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.55V @ 3A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-277A (SMPC) |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 120ns |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-277, 3-PowerDFN |
| Outros nomes: | TPAR3J S1GTR TPAR3J S1GTR-ND TPAR3JS1GTR |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 7 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Avalanche |
| Descrição detalhada: | Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC) |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 3A |
| Capacitância @ Vr, F: | 58pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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