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TPAR3J S1G
- Modèle de produit:
- TPAR3J S1G
- Fabricant:
- TSC (Taiwan Semiconductor)
- La description:
- DIODE AVALANCHE 600V 3A TO277A
- Statut sans plomb:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- Quantité en stock:
- 59565 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days
- Délai de mise en œuvre:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- TPAR3J S1G.pdf
introduction
Spécifications
| État | New & Original, tested |
|---|---|
| Pays d'origine | Contact us |
| Code de marquage | Send by email |
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si: | 1.55V @ 3A |
| Tension - inverse (Vr) (max): | 600V |
| Package composant fournisseur: | TO-277A (SMPC) |
| La vitesse: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Séries: | - |
| Temps de recouvrement inverse (trr): | 120ns |
| Emballage: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Boîte: | TO-277, 3-PowerDFN |
| Autres noms: | TPAR3J S1GTR TPAR3J S1GTR-ND TPAR3JS1GTR |
| Température d'utilisation - Jonction: | -55°C ~ 175°C |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 7 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Type de diode: | Avalanche |
| Description détaillée: | Diode Avalanche 600V 3A Surface Mount TO-277A (SMPC) |
| Courant - fuite, inverse à Vr: | 10µA @ 600V |
| Courant - Rectifié moyenne (Io): | 3A |
| Capacité à Vr, F: | 58pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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