TK25V60X,LQ
Modelo do Produto:
TK25V60X,LQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
21876 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK25V60X,LQ.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-DFN-EP (8x8)
Série:DTMOSIV-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:135 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):180W (Tc)
Caixa / Gabinete:4-VSFN Exposed Pad
Outros nomes:TK25V60XLQ
Temperatura de operação:150°C
Tipo de montagem:Surface Mount
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:40nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 25A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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