TK25E06K3,S1X(S
Modelo do Produto:
TK25E06K3,S1X(S
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
48961 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
TK25E06K3,S1X(S.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220-3
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 12.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):60W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:TK25E06K3S1X(S
TK25E06K3S1XS
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 25A (Ta) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:25A (Ta)
Email:[email protected]

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