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SUP85N10-10-GE3
- Modelo do Produto:
- SUP85N10-10-GE3
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 48685 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.SUP85N10-10-GE3.pdf2.SUP85N10-10-GE3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Teste: | 6550pF @ 25V |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | TrenchFET® |
| Status de RoHS: | Digi-Reel® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 85A (Tc) |
| Polarização: | TO-220-3 |
| Outros nomes: | SUP85N10-10-GE3DKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 24 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SUP85N10-10-GE3 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 160nC @ 10V |
| Tipo de IGBT: | ±20V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| Característica FET: | N-Channel |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | - |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100V |
| Rácio de capacitância: | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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