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状況 | New & Original, tested |
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原産国 | Contact us |
タグコード | Send by email |
電圧 - テスト: | 6550pF @ 25V |
同上@ VGS(TH)(最大): | 10.5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs(最大): | 4.5V, 10V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
シリーズ: | TrenchFET® |
RoHSステータス: | Digi-Reel® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 85A (Tc) |
偏光: | TO-220-3 |
他の名前: | SUP85N10-10-GE3DKR |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 24 Weeks |
製造元の部品番号: | SUP85N10-10-GE3 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 160nC @ 10V |
IGBTタイプ: | ±20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 3V @ 250µA |
FET特長: | N-Channel |
拡張された説明: | N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | - |
説明: | MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 100V |
静電容量比: | 3.75W (Ta), 250W (Tc) |
Email: | [email protected] |