STGW10M65DF2
STGW10M65DF2
Modelo do Produto:
STGW10M65DF2
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
33265 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
STGW10M65DF2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2V @ 15V, 10A
Condição de teste:400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:19ns/91ns
Alternando Energia:120µJ (on), 270µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247
Série:M
Inversa de tempo de recuperação (trr):96ns
Power - Max:115W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Outros nomes:497-16969
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:Trench Field Stop
portão de carga:28nC
Descrição detalhada:IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
Atual - Collector Pulsada (ICM):40A
Atual - Collector (Ic) (Max):20A
Email:[email protected]

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