STGW10M65DF2
STGW10M65DF2
Artikelnummer:
STGW10M65DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
Beschreibung:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
33265 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
STGW10M65DF2.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic:2V @ 15V, 10A
Testbedingung:400V, 10A, 22 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C:19ns/91ns
Schaltenergie:120µJ (on), 270µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse:TO-247
Serie:M
Rückwärts-Erholzeit (Trr):96ns
Leistung - max:115W
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-247-3
Andere Namen:497-16969
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:42 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp:Standard
IGBT-Typ:Trench Field Stop
Gate-Ladung:28nC
detaillierte Beschreibung:IGBT Trench Field Stop 650V 20A 115W Through Hole TO-247
Strom - Collector Pulsed (Icm):40A
Strom - Kollektor (Ic) (max):20A
Email:[email protected]

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