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SIS990DN-T1-GE3
- Modelo do Produto:
- SIS990DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 100V 12.1A 1212-8
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 36881 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SIS990DN-T1-GE3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 85 mOhm @ 8A, 10V |
| Power - Max: | 25W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Outros nomes: | SIS990DN-T1-GE3TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 50V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Standard |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 12.1A 25W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 12.1A |
| Email: | [email protected] |
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