SIS822DNT-T1-GE3
SIS822DNT-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIS822DNT-T1-GE3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212
Quantidade em estoque:
28827 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SIS822DNT-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® 1212-8
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:24 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):15.6W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® 1212-8
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:27 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:435pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 12A (Tc) 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

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