SI4340CDY-T1-E3 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para SI4340CDY-T1-E3, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para SI4340CDY-T1-E3 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre SI4340CDY-T1-E3 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
SI4340CDY-T1-E3
- Modelo do Produto:
- SI4340CDY-T1-E3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 41690 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- SI4340CDY-T1-E3.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 14-SOIC |
| Série: | TrenchFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V |
| Power - Max: | 3W, 5.4W |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | SI4340CDY-T1-E3CT SI4340CDYT1E3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição detalhada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 14.1A, 20A 3W, 5.4W Surface Mount 14-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 14.1A, 20A |
| Número da peça base: | SI4340 |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para SI4340CDY-T1-E3
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade