SI4330DY-T1-E3
Modelo do Produto:
SI4330DY-T1-E3
Fabricante:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
39366 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
SI4330DY-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SO
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16.5 mOhm @ 8.7A, 10V
Power - Max:1.1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:SI4330DY-T1-E3TR
SI4330DYT1E3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.6A 1.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6.6A
Número da peça base:SI4330
Email:[email protected]

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