RT1418B6TR7 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para RT1418B6TR7, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para RT1418B6TR7 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre RT1418B6TR7 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
RT1418B6TR7
- Modelo do Produto:
- RT1418B6TR7
- Fabricante:
- CTS Electronic Components
- Descrição:
- RES NTWRK 16 RES 8.2K OHM 24LBGA
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 28922 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RT1418B6TR7.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tolerância: | ±1% |
| Coeficiente de temperatura: | ±200ppm/°C |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 24-BGA (10.2x3.8) |
| Tamanho / Dimensão: | 0.400" L x 0.150" W (10.16mm x 3.81mm) |
| Série: | ClearONE™ |
| Resistência-Ratio-Drift: | - |
| Relação de Correspondência do Resistor: | - |
| Resistência (Ohms): | 8.2k |
| Poder por elemento: | 50mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 24-LBGA |
| Outros nomes: | RT1418B6R7 RT1418B6R7TR RT1418B6R7TR-ND RT1418B6TR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 125°C |
| Número de resistores: | 16 |
| Número de pinos: | 24 |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Altura - Sentado (Max): | 0.058" (1.47mm) |
| Descrição detalhada: | 8.2k Ohm ±1% 50mW Power Per Element Dual Terminator 16 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 24-LBGA |
| Tipo de circuito: | Dual Terminator |
| aplicações: | PCI, PCIX |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para RT1418B6TR7
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC