RT1418B6TR7 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل RT1418B6TR7، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل RT1418B6TR7 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء RT1418B6TR7 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
RT1418B6TR7
- رقم القطعة:
- RT1418B6TR7
- الصانع:
- CTS Electronic Components
- وصف:
- RES NTWRK 16 RES 8.2K OHM 24LBGA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 28922 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- RT1418B6TR7.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±1% |
| معامل درجة الحرارة: | ±200ppm/°C |
| تجار الأجهزة حزمة: | 24-BGA (10.2x3.8) |
| حجم / البعد: | 0.400" L x 0.150" W (10.16mm x 3.81mm) |
| سلسلة: | ClearONE™ |
| المقاوم نسبة-الانجراف: | - |
| نسبة مطابقة المقاوم: | - |
| المقاومة (أوم): | 8.2k |
| قوة لكل عنصر: | 50mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 24-LBGA |
| اسماء اخرى: | RT1418B6R7 RT1418B6R7TR RT1418B6R7TR-ND RT1418B6TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد من المقاومات: | 16 |
| عدد من الدبابيس: | 24 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.058" (1.47mm) |
| وصف تفصيلي: | 8.2k Ohm ±1% 50mW Power Per Element Dual Terminator 16 Resistor Network/Array ±200ppm/°C 24-LBGA |
| الدائرة نوع: | Dual Terminator |
| التطبيقات: | PCI, PCIX |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لRT1418B6TR7
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC