RN2422TE85LF
Modelo do Produto:
RN2422TE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
40016 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
RN2422TE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 1mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-Mini
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Power - Max:200mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:RN2422(TE85L,F)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:200MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:65 @ 100mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):800mA
Email:[email protected]

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