RN2422TE85LF
Modello di prodotti:
RN2422TE85LF
fabbricante:
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SMINI
Stato senza piombo:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità di magazzino:
40016 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days
Tempi di consegna:
4-8 weeks
Scheda dati:
RN2422TE85LF.pdf

introduzione

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Specifiche

Condizione New & Original, tested
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Tensione - rottura collettore-emettitore (max):50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic:250mV @ 1mA, 50mA
Tipo transistor:PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore:S-Mini
Serie:-
Resistor - Emitter Base (R2):2.2 kOhms
Resistor - Base (R1):2.2 kOhms
Potenza - Max:200mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi:RN2422(TE85L,F)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:11 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione:200MHz
Descrizione dettagliata:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 800mA 200MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce:65 @ 100mA, 1V
Corrente - Cutoff collettore (max):500nA
Corrente - collettore (Ic) (max):800mA
Email:[email protected]

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