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RFN10TF6S
- Modelo do Produto:
- RFN10TF6S
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 26138 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- RFN10TF6S.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.55V @ 10A |
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 600V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220NFM |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 50ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-2 |
| Temperatura de Operação - Junção: | 150°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição detalhada: | Diode Standard 600V 10A Through Hole TO-220NFM |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 600V |
| Atual - rectificada média (Io): | 10A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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