RFN20TJ6SGC9
RFN20TJ6SGC9
Modelo do Produto:
RFN20TJ6SGC9
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 600V 20A TO220
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
20412 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
1.RFN20TJ6SGC9.pdf2.RFN20TJ6SGC9.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.55V @ 20A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):600V
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220ACFP
Velocidade:Fast Recovery = 200mA (Io)
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):140ns
Caixa / Gabinete:TO-220-2 Full Pack
Temperatura de Operação - Junção:150°C (Max)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode:Standard
Descrição detalhada:Diode Standard 600V 20A Through Hole TO-220ACFP
Atual - dispersão reversa @ Vr:10µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io):20A
Capacitância @ Vr, F:-
Email:[email protected]

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