RFN10B3STL
RFN10B3STL
Modelo do Produto:
RFN10B3STL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
55297 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
RFN10B3STL.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - Pico Reversa (Max):Standard
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:10A
Tensão - Breakdown:CPD
Série:-
Status de RoHS:Tape & Reel (TR)
Inversa de tempo de recuperação (trr):Fast Recovery = 200mA (Io)
Resistência @ Se, F:-
Polarização:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:RFN10B3STLTR
Temperatura de Operação - Junção:30ns
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:RFN10B3STL
Descrição expandida:Diode Standard 350V 10A Surface Mount CPD
configuração de diodo:10µA @ 350V
Descrição:DIODE GEN PURP 350V 10A CPD
Atual - dispersão reversa @ Vr:1.5V @ 10A
Atual - rectificada média (Io) (por Diode):350V
Capacitância @ Vr, F:150°C (Max)
Email:[email protected]

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