NTMFS4985NFT3G
NTMFS4985NFT3G
Modelo do Produto:
NTMFS4985NFT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54170 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NTMFS4985NFT3G.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.4 mOhm @ 30A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:2 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:30.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição detalhada:N-Channel 30V 17.5A (Ta), 65A (Tc) 1.63W (Ta), 22.73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17.5A (Ta), 65A (Tc)
Email:[email protected]

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