NTMFS4985NFT3G
NTMFS4985NFT3G
Número de pieza:
NTMFS4985NFT3G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 65A SO8FL
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
54170 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
NTMFS4985NFT3G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
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Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2.3V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:3.4 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo):1.63W (Ta), 22.73W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:2 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2100pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:30.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción detallada:N-Channel 30V 17.5A (Ta), 65A (Tc) 1.63W (Ta), 22.73W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:17.5A (Ta), 65A (Tc)
Email:[email protected]

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