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NSV60101DMTWTBG
- Modelo do Produto:
- NSV60101DMTWTBG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 20396 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- NSV60101DMTWTBG.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 60V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 180mV @ 100mA, 1A |
| Tipo transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-WDFN (2x2) |
| Série: | - |
| Power - Max: | 2.27W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Outros nomes: | NSV60101DMTWTBG-ND NSV60101DMTWTBGOSTR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 19 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 180MHz |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 180MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2) |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 500mA, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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