NSV60100DMTWTBG
NSV60100DMTWTBG
Modelo do Produto:
NSV60100DMTWTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
DUAL TRANSISTOR PNP
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
49388 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NSV60100DMTWTBG.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 100mA, 2A
Tipo transistor:2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (2x2)
Série:-
Power - Max:2.27W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:NSV60100DMTWTBGOSCT
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:155MHz
Descrição detalhada:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 155MHz 2.27W Surface Mount 6-WDFN (2x2)
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):1A
Email:[email protected]

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