NSTB1002DXV5T1
NSTB1002DXV5T1
Modelo do Produto:
NSTB1002DXV5T1
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Status sem chumbo:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade em estoque:
40733 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
NSTB1002DXV5T1.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V, 40V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-553
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms
Power - Max:500mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-553
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição:250MHz
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA, 200mA
Email:[email protected]

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