NSTB1002DXV5T1
NSTB1002DXV5T1
Modèle de produit:
NSTB1002DXV5T1
Fabricant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Statut sans plomb:
Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité en stock:
40733 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days
Délai de mise en œuvre:
4-8 weeks
Fiche technique:
NSTB1002DXV5T1.pdf

introduction

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Spécifications

État New & Original, tested
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Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max):50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Package composant fournisseur:SOT-553
Séries:-
Résistance - Base de l'émetteur (R2):47 kOhms
Résistance - Base (R1):47 kOhms
Puissance - Max:500mW
Emballage:Tape & Reel (TR)
Package / Boîte:SOT-553
Type de montage:Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS:Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition:250MHz
Description détaillée:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max):500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max):100mA, 200mA
Email:[email protected]

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