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MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
- Modelo do Produto:
- MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
- Fabricante:
- Micron Technology
- Descrição:
- IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 59196 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | - |
| Tensão - Fornecimento: | 2.5 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FLASH - NAND |
| Série: | - |
| Temperatura de operação: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 3Tb (384G x 8) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | FLASH |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz |
| Freqüência de relógio: | 333MHz |
| Email: | [email protected] |
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