MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Artikelnummer:
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B
Hersteller:
Micron Technology
Beschreibung:
IC FLASH 3T PARALLEL 333MHZ
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
59196 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
MT29E3T08EQHBBG2-3ES:B.pdf

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
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Markierungscode Send by email
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite:-
Spannungsversorgung:2.5 V ~ 3.6 V
Technologie:FLASH - NAND
Serie:-
Betriebstemperatur:0°C ~ 70°C (TA)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):3 (168 Hours)
Speichertyp:Non-Volatile
Speichergröße:3Tb (384G x 8)
Speicherschnittstelle:Parallel
Speicherformat:FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung:FLASH - NAND Memory IC 3Tb (384G x 8) Parallel 333MHz
Uhrfrequenz:333MHz
Email:[email protected]

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