MB85R256GPF-G-BND-ERE1 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para MB85R256GPF-G-BND-ERE1, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para MB85R256GPF-G-BND-ERE1 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre MB85R256GPF-G-BND-ERE1 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Modelo do Produto:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Fabricante:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Descrição:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 32974 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 150ns |
| Tensão - Fornecimento: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Série: | - |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 256Kb (32K x 8) |
| Interface de memória: | Parallel |
| Formato de memória: | FRAM |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrição detalhada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
| Tempo de acesso: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Latest Notícias
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- Volume local de chip maduro, capacidade de produção de memória flash samsung nand próxima à carga
- Vishay lança uma embalagem minilada de alto brilho azul e verde puro LED
- Ansonmei lançou um sensor de posição indutiva para o mercado industrial e de transporte
- Ruisa inicia a antiga fábrica para aumentar o dispositivo de energia, o terremoto afeta a saída de DRAM leve
- O microchip permite a capacidade de produção do TSMC e aumenta os aumentos de preços