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MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Número de pieza:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1
- Fabricante:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Descripción:
- IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP
- Estado sin plomo:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad de stock:
- 32974 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Tiempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf
Introducción
Especificaciones
| Condición | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origen | Contact us |
| Código de marcado | Send by email |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 150ns |
| Suministro de voltaje: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Serie: | - |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 256Kb (32K x 8) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FRAM |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 256Kb (32K x 8) Parallel 150ns |
| Tiempo de acceso: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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