JAN2N3439L está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para JAN2N3439L, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para JAN2N3439L por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre JAN2N3439L com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
JAN2N3439L
- Modelo do Produto:
- JAN2N3439L
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- TRANS NPN 350V 1A
- Status sem chumbo:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade em estoque:
- 43366 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- JAN2N3439L.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 350V |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 500mV @ 4mA, 50mA |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-5 |
| Série: | Military, MIL-PRF-19500/368 |
| Power - Max: | 800mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| Outros nomes: | 1086-2344 1086-2344-MIL |
| Temperatura de operação: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequência - Transição: | - |
| Descrição detalhada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 20mA, 10V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 2µA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para JAN2N3439L
Latest Notícias
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash
- O relatório financeiro do primeiro trimestre do semicondutor SEF (ST) diminui, e a demanda por automóveis diminuiu a velocidade