JAN2N3439L متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل JAN2N3439L، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل JAN2N3439L عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء JAN2N3439L مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
JAN2N3439L
- رقم القطعة:
- JAN2N3439L
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- TRANS NPN 350V 1A
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 43366 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- JAN2N3439L.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 350V |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 500mV @ 4mA, 50mA |
| نوع الترانزستور: | NPN |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-5 |
| سلسلة: | Military, MIL-PRF-19500/368 |
| السلطة - ماكس: | 800mW |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
| اسماء اخرى: | 1086-2344 1086-2344-MIL |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد - تحول: | - |
| وصف تفصيلي: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 1A 800mW Through Hole TO-5 |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 40 @ 20mA, 10V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | 2µA |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لJAN2N3439L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
JAN2N3420 | Microsemi | TRANS NPN 60V 3A | تحقيق |
 |
JAN2N3439 | Microsemi | TRANS NPN 350V 1A | تحقيق |
|
JAN2N3420S | Microsemi | TRANS NPN 60V 3A | تحقيق |
|
JAN2N3419S | Microsemi | TRANS NPN 80V 3A | تحقيق |
|
JAN2N3440 | Microsemi | TRANS NPN 250V 1A | تحقيق |
|
JAN2N3498 | Microsemi | TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N3485A | Microsemi | TRANS PNP 60V 0.6A | تحقيق |
 |
JAN2N3486A | Microsemi | TRANS PNP 60V 0.6A | تحقيق |
|
JAN2N3421S | Microsemi | TRANS NPN 80V 3A TO39 | تحقيق |
 |
JAN2N3440L | Microsemi | TRANS NPN 250V 1A TO5 | تحقيق |
|
JAN2N335 | Microsemi | TRANS NPN 45V 10MA | تحقيق |
|
JAN2N3251AUB | Microsemi | TRANS PNP 60V 0.2A TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N3498L | Microsemi | TRANS NPN 100V 0.5A TO5 | تحقيق |
|
JAN2N3418S | Microsemi | TRANS NPN 60V 3A | تحقيق |
|
JAN2N3499 | Microsemi | TRANS NPN 100V 0.5A TO-39 | تحقيق |
|
JAN2N3467L | Microsemi | TRANS PNP 40V 1A TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N3441 | Microsemi | TRANS NPN 140V 3A TO-66 | تحقيق |
|
JAN2N3419 | Microsemi | TRANS NPN 80V 3A | تحقيق |
|
JAN2N3442 | Microsemi | TRANS NPN 140V 10A TO-3 | تحقيق |
|
JAN2N3418 | Microsemi | TRANS NPN 60V 3A | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات