IXTP02N50D está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para IXTP02N50D, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para IXTP02N50D por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre IXTP02N50D com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
IXTP02N50D
- Modelo do Produto:
- IXTP02N50D
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descrição:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 53458 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- IXTP02N50D.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220AB |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| Dissipação de energia (Max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | Depletion Mode |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 500V |
| Descrição detalhada: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para IXTP02N50D
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash