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IXTP02N50D
- Modello di prodotti:
- IXTP02N50D
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220
- Stato senza piombo:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità di magazzino:
- 53458 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days
- Tempi di consegna:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- IXTP02N50D.pdf
introduzione
Specifiche
| Condizione | New & Original, tested |
|---|---|
| Paese d'origine | Contact us |
| Codice di marcatura | Send by email |
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 25µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 120pF @ 25V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Depletion Mode |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 500V |
| Descrizione dettagliata: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IXTP02N50D
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTN90N25L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 90A SOT-227 | Inchiesta |
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IXTN8N150L | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B | Inchiesta |
 |
IXTP06N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP05N100M | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP05N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | Inchiesta |
|
IXTN60N50L2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 53A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXTN660N04T4 | IXYS Corporation | 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT | Inchiesta |
|
IXTP08N50D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB | Inchiesta |
|
IXTP102N15T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 102A TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP01N100D | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | Inchiesta |
|
IXTN62N50L | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 62A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXTP02N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP08N120P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP08N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP05N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | Inchiesta |
|
IXTP08N100D2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | Inchiesta |
|
IXTN600N04T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 40V 600A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXTP100N04T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 | Inchiesta |
|
IXTN79N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 79A SOT-227 | Inchiesta |
|
IXTN90P20P | IXYS Corporation | MOSFET P-CH 200V 90A SOT227 | Inchiesta |
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