IXFK360N10T
IXFK360N10T
Modelo do Produto:
IXFK360N10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
51301 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IXFK360N10T.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 3mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-264AA (IXFK)
Série:GigaMOS™ HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.9 mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max):1250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:26 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:33000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:525nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição detalhada:N-Channel 100V 360A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:360A (Tc)
Email:[email protected]

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