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IXFK360N10T
IXFK360N10T
Artikelnummer:
IXFK360N10T
Hersteller:
IXYS Corporation
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Lead Free Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Bestandsmenge:
51301 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Vorlaufzeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
IXFK360N10T.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Original, tested
Ursprungsland Contact us
Markierungscode Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 3mA
Vgs (Max):±20V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:TO-264AA (IXFK)
Serie:GigaMOS™ HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.9 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max):1250W (Tc)
Verpackung:Tube
Verpackung / Gehäuse:TO-264-3, TO-264AA
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:26 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:33000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:525nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 100V 360A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:360A (Tc)
Email:[email protected]

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