IPP80N06S2L11AKSA2
IPP80N06S2L11AKSA2
Modelo do Produto:
IPP80N06S2L11AKSA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
20423 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
IPP80N06S2L11AKSA2.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO220-3-1
Série:OptiMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10.7 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max):158W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Outros nomes:SP001061296
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2075pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):55V
Descrição detalhada:N-Channel 55V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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