IPP80N06S2L11AKSA2
IPP80N06S2L11AKSA2
Número de pieza:
IPP80N06S2L11AKSA2
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
20423 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
IPP80N06S2L11AKSA2.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:2V @ 93µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:10.7 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):158W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:SP001061296
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2075pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:55V
Descripción detallada:N-Channel 55V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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