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GA10JT12-263
- Modelo do Produto:
- GA10JT12-263
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- TRANS SJT 1200V 25A
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 57834 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GA10JT12-263.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | - |
| Tecnologia: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 120 mOhm @ 10A |
| Dissipação de energia (Max): | 170W (Tc) |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | - |
| Outros nomes: | 1242-1186 GA10JT12-220ISO GA10JT12220ISO |
| Temperatura de operação: | 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1403pF @ 800V |
| Tipo FET: | - |
| Característica FET: | - |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | - |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V |
| Descrição detalhada: | 1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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