GA10JT12-263
GA10JT12-263
رقم القطعة:
GA10JT12-263
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
TRANS SJT 1200V 25A
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
57834 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
GA10JT12-263.pdf

المقدمة

GA10JT12-263 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GA10JT12-263، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GA10JT12-263 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GA10JT12-263 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:-
فغس (ماكس):-
تكنولوجيا:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
تجار الأجهزة حزمة:-
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:120 mOhm @ 10A
تبديد الطاقة (ماكس):170W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:-
اسماء اخرى:1242-1186
GA10JT12-220ISO
GA10JT12220ISO
درجة حرارة التشغيل:175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:18 Weeks
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1403pF @ 800V
نوع FET:-
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):-
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1200V
وصف تفصيلي:1200V 25A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:25A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

Latest الأخبار