GA100-010WD está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para GA100-010WD, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para GA100-010WD por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre GA100-010WD com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
GA100-010WD
- Modelo do Produto:
- GA100-010WD
- Fabricante:
- Agastat Relays / TE Connectivity
- Descrição:
- SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 52846 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- GA100-010WD.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - Fornecimento: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Estilo de acabamento: | PCB |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | - |
| Série: | Ares |
| Tipo de pressão: | Differential |
| Estilo de porta: | Barbed |
| porto Tamanho: | Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual |
| Caixa / Gabinete: | 3-SIP Module |
| Tipo de saída: | Analog Voltage |
| Saída: | 0.5 V ~ 4.5 V |
| Outros nomes: | 356-1037 |
| Temperatura de operação: | -25°C ~ 80°C |
| Pressão de operação: | 0.36 PSI (2.49 kPa) |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Máxima Pressão: | 10 PSI (68.95 kPa) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Características: | Amplified Output, Temperature Compensated |
| Descrição detalhada: | Pressure Sensor 0.36 PSI (2.49 kPa) Differential Male - 0.13" (3.23mm) Tube, Dual 0.5 V ~ 4.5 V 3-SIP Module |
| Precisão: | ±0.5% |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para GA100-010WD
Latest Notícias
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC