FQPF13N06
FQPF13N06
Modelo do Produto:
FQPF13N06
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
54982 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
FQPF13N06.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220F
Série:QFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:135 mOhm @ 4.7A, 10V
Dissipação de energia (Max):24W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:7.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição detalhada:N-Channel 60V 9.4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

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