FQPF13N06
FQPF13N06
Número de pieza:
FQPF13N06
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F
Estado sin plomo:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad de stock:
54982 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Tiempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de datos:
FQPF13N06.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Original, tested
País de origen Contact us
Código de marcado Send by email
VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±25V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220F
Serie:QFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:135 mOhm @ 4.7A, 10V
La disipación de energía (máximo):24W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:7.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción detallada:N-Channel 60V 9.4A (Tc) 24W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.4A (Tc)
Email:[email protected]

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