FF900R12IP4BOSA2 está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para FF900R12IP4BOSA2, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para FF900R12IP4BOSA2 por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre FF900R12IP4BOSA2 com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
FF900R12IP4BOSA2
- Modelo do Produto:
- FF900R12IP4BOSA2
- Descrição:
- IGBT MODULE 1200V 900A
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 46837 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- FF900R12IP4BOSA2.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.05V @ 15V, 900A |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | PrimePack™2 |
| Power - Max: | 5100W |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Outros nomes: | FF900R12IP4 FF900R12IP4-ND SP000609750 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC Thermistor: | Yes |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitância de entrada (Cies) @ Vce: | 54nF @ 25V |
| Entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Trench Field Stop |
| Descrição detalhada: | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 900A 5100W Chassis Mount Module |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 900A |
| Configuração: | Single |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para FF900R12IP4BOSA2
Latest Notícias
- O ARM apareceu em Computex 2024: Espera -se que mais de 100 bilhões de dispositivos de braço possam ser usados para a IA até o final de 2025
- O Qorvo lançou as excelentes preliminares do setor 5G 5G MMIMO
- Inventário de ciclo de simulação para fora, a IA aciona a demanda de memória flash continua
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica