Az FF900R12IP4BOSA2 most elérhető!Az LYNTEAM technológia az FF900R12IP4BOSA2 állományelosztója, az azonnali szállításra és hosszú ideig rendelkezésre álló készletek is rendelkezésre állnak.Kérjük, küldje elvásárlásitervetFF900R12IP4BOSA2e-mailben,akkor kapszegylegjobb ár szerinta tervet.
Vásároljon FF900R12IP4BOSA2 LYNTEAM-vel, takarítson meg pénzt és időt.
E-mailünk: [email protected]
FF900R12IP4BOSA2
- Cikkszám:
- FF900R12IP4BOSA2
- Leírás:
- IGBT MODULE 1200V 900A
- Ólommentes állapot:
- Ólommentes / RoHS megfelelő
- Készlet mennyiség:
- 46837 Pieces
- Szállítási idő:
- 1-2 days
- Vezetői idő:
- 4-8 weeks
- Adatlap:
- FF900R12IP4BOSA2.pdf
Bevezetés
Műszaki adatok
| Feltétel | New & Original, tested |
|---|---|
| Származási ország | Contact us |
| Jelölési kód | Send by email |
| Feszültség - Collector Emitter Breakdown (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.05V @ 15V, 900A |
| Szállító eszközcsomag: | Module |
| Sorozat: | PrimePack™2 |
| Teljesítmény - Max: | 5100W |
| Csomagolás / tok: | Module |
| Más nevek: | FF900R12IP4 FF900R12IP4-ND SP000609750 |
| Üzemi hőmérséklet: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| NTC termisztor: | Yes |
| Szerelési típus: | Chassis Mount |
| Nedvességérzékenységi szint (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Ólommentes állapot / RoHS állapot: | Lead free / RoHS Compliant |
| Bemeneti kapacitás (Cies) @ Vce: | 54nF @ 25V |
| Bemenet: | Standard |
| IGBT típus: | Trench Field Stop |
| Részletes leírás: | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 900A 5100W Chassis Mount Module |
| Aktuális - Collector Cutoff (Max): | 5mA |
| Áram - kollektor (Ic) (Max): | 900A |
| Configuration: | Single |
| Email: | [email protected] |
Kapcsolódó alkatrészek az FF900R12IP4BOSA2-hoz
Latest News
- Az ARM megjelenik a Computex 2024 -ben: Várható, hogy 2025 végéig több mint 100 milliárd ARM -eszköz használható az AI -hez.
- A Qorvo elindította az iparág kiemelkedő, magas szintű 5G Mmimo előzetes előadását
- A szimulációs ciklus leltárának alsó része az AI meghajtja a flash memóriaigényt
- A Micron terve egy gyári, NAND flash memória magas áron vagy karbantartáson történő felépítésére irányuló terve
- Az ADI teljesítménye csökken, a rézfólia -szubsztrátok emelkedtek, az eredeti gyár tárolása növekvő termelési konzervatív
- Jön az intelligencia hulláma az autóban, és Aimus Oslang segített Sagita Juguang felszabadítani az MX Lidar -ot
- A HBM termelési kapacitása ki van zárva, a DRAM memória az év második felében hiányos lehet
- A fali alapítók véget érnek, a HBM vagy a DRAM ismét felemelkedése
- AI mobiltelefon- és PC bővítési igény, globális félvezető gyártási ipar fejlesztése
- Értse meg az ADAS és a kabin -megfigyelő rendszerek igényeit a hálózati biztonsági képérzékelők számára
- Pletykálják, hogy a Samsung és az SK Hynix megállította a DDR3 -t, és a promóciós idézet 20 % -kal emelkedett
- A Melexis kiadta az MLX90427 -et: Vonalvezérlés az új választáshoz, biztonságos, hatékony és gazdaságos