DTA144EUBHZGTL está disponível agora!A tecnologia LYNTEAM é o distribuidor de meia para DTA144EUBHZGTL, temos as ações para envio imediato e também disponível por um longo período de tempo.Por favor, envie-nos o seu plano de compra para DTA144EUBHZGTL por e-mail, vamos dar-lhe um melhor preço de acordo com o seu plano.
Compre DTA144EUBHZGTL com LYNTEAM, economize seu dinheiro e tempo.
Nosso email: [email protected]
DTA144EUBHZGTL
- Modelo do Produto:
- DTA144EUBHZGTL
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
- Status sem chumbo:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade em estoque:
- 50939 Pieces
- Tempo de entrega:
- 1-2 days
- Tempo de espera:
- 4-8 weeks
- Ficha de dados:
- 1.DTA144EUBHZGTL.pdf2.DTA144EUBHZGTL.pdf
Introdução
Especificações
| Condição | New & Original, tested |
|---|---|
| País de origem | Contact us |
| Código de Marcação | Send by email |
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Tipo transistor: | PNP - Pre-Biased |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | UMT3F |
| Série: | Automotive, AEC-Q101 |
| Resistor - Base do Emissor (R2): | 47 kOhms |
| Resistor - Base (R1): | 47 kOhms |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | SC-85 |
| Outros nomes: | DTA144EUBHZGTLCT |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 7 Weeks |
| Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequência - Transição: | 250MHz |
| Descrição detalhada: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 68 @ 5mA, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | - |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para DTA144EUBHZGTL
Latest Notícias
- Plano da Micron de construir uma fábrica, a memória flash NAND a preços altos ou manutenção
- O desempenho da ADI é reduzido, os substratos de folha de cobre aumentaram, o armazenamento da fábrica original aumenta a produção conservadora
- A onda de inteligência no carro está chegando, e Aimus Oslang ajudou Sagita Juguang a libertar o MX Lidar
- A capacidade de produção de HBM é excluída, a memória DRAM pode estar em falta na segunda metade do ano
- Os fundadores da parede terminarão, HBM ou farão com que o DRAM suba novamente
- Demanda de expansão de telefone e PC da IA, melhoria da indústria de fabricação de semicondutores globais
- Entenda as necessidades dos ADAS e sistemas de monitoramento de cabine para sensores de imagem de segurança de rede
- Há rumores de que Samsung e Sk Hynix pararam o DDR3, e a citação de promoção aumentou 20 %
- Melexis lançado MLX90427: Controle de linha para nova escolha, segura, eficiente e econômica
- O Relatório Financeiro da NXP e Ansonmei anunciou, e o preço dos preços de cobre é transmitido ao setor de IC
- A MOELS Micro Electronics criou um novo escritório em Taiwan, China para expandir o território comercial
- O desempenho dos instrumentos do Texas ainda está para ser impulsionado, e as duas fábricas de armazenamento empurram novos produtos de memória flash