DTA144EUBHZGTL متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل DTA144EUBHZGTL، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل DTA144EUBHZGTL عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء DTA144EUBHZGTL مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
DTA144EUBHZGTL
- رقم القطعة:
- DTA144EUBHZGTL
- الصانع:
- LAPIS Semiconductor
- وصف:
- PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50939 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.DTA144EUBHZGTL.pdf2.DTA144EUBHZGTL.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 300mV @ 500µA, 10mA |
| نوع الترانزستور: | PNP - Pre-Biased |
| تجار الأجهزة حزمة: | UMT3F |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| المقاوم - قاعدة باعث (R2): | 47 kOhms |
| المقاوم - قاعدة (R1): | 47 kOhms |
| السلطة - ماكس: | 200mW |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | SC-85 |
| اسماء اخرى: | DTA144EUBHZGTLCT |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد - تحول: | 250MHz |
| وصف تفصيلي: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3F |
| العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 68 @ 5mA, 5V |
| الحالي - جامع القطع (ماكس): | - |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لDTA144EUBHZGTL
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC