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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > DMG563H50R
DMG563H50R
DMG563H50R
Modelo do Produto:
DMG563H50R
Fabricante:
Panasonic
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5
Status sem chumbo:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
45737 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMG563H50R.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SMini5-F3-B
Série:-
Resistor - Base do Emissor (R2):47 kOhms
Resistor - Base (R1):47 kOhms, 10 kOhms
Power - Max:150mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Outros nomes:DMG563H50RDKR
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição:-
Descrição detalhada:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini5-F3-B
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:80 @ 5mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):500nA
Atual - Collector (Ic) (Max):100mA
Número da peça base:DMG563
Email:[email protected]

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