DMG4N60SCT
Modelo do Produto:
DMG4N60SCT
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Status sem chumbo:
Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Quantidade em estoque:
56650 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days
Tempo de espera:
4-8 weeks
Ficha de dados:
DMG4N60SCT.pdf

Introdução

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Especificações

Condição New & Original, tested
País de origem Contact us
Código de Marcação Send by email
VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.5 Ohm @ 2A, 10V
Dissipação de energia (Max):113W (Ta)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:30 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:532pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição detalhada:N-Channel 600V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.5A (Ta)
Email:[email protected]

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